[发明专利]用于半导体薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及检测系统在审
申请号: | 202110394645.8 | 申请日: | 2021-04-13 |
公开(公告)号: | CN113257698A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 王琳琳;王卓;杨艳 | 申请(专利权)人: | 拓荆科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 王翠 |
地址: | 110179 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种用于半导体薄膜沉积设备中绝缘柱升降状态的检测方法及检测系统,检测方法中基于对半导体薄膜沉积设备中薄膜沉积腔内晶圆的厚度检测,依据检测的晶圆厚度来间接反映出晶圆是否发生倾斜,进而判断绝缘柱的升降状态,一旦绝缘柱的升降状态存在异常,则可控制机械手臂停止进行取片动作,进而避免机械手臂与晶圆发生碰撞,从降低腔体碎片概率、机械手指撞片损伤的概率,减少设备故障时间以及晶圆异常沉积造成的电弧硬件损伤;该检测方法,简单易行,可为后续的机械手臂进行预警,可有效降低设备的故障率;所述检测系统,是基于上述检测方法而研发的一套检测系统,具有设计合理,结构简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 薄膜 沉积 设备 绝缘 升降 状态 检测 方法 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造