[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110393477.0 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113540086A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金柱然;姜尚廷;金真雨;尹智 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/423;H01L23/48;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一栅极结构，在基板的第一区域上沿第一方向延伸，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及第二栅极结构，在基板的第二区域上沿第一方向延伸，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，其中第一功函数膜在与第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于第二功函数膜在第二方向上的第二厚度，以及其中第一功函数膜在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一高度不同于第二功函数膜在第三方向上的第二高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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