[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一区域和第二区域；

第一栅极结构，在所述基板的所述第一区域上沿第一方向延伸，所述第一栅极结构包括第一栅极绝缘膜和设置在所述第一栅极绝缘膜上的第一功函数膜；以及

第二栅极结构，在所述基板的所述第二区域上沿所述第一方向延伸，所述第二栅极结构包括第二栅极绝缘膜和设置在所述第二栅极绝缘膜上的第二功函数膜，

其中所述第一功函数膜在与所述第一方向交叉的第二方向上的第一厚度不同于所述第二功函数膜在所述第二方向上的第二厚度，以及

其中所述第一功函数膜在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的第一高度不同于所述第二功函数膜在所述第三方向上的第二高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一功函数膜在所述第二方向上的所述第一厚度小于所述第二功函数膜在所述第二方向上的所述第二厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一功函数膜在所述第三方向上的所述第一高度大于所述第二功函数膜在所述第三方向上的所述第二高度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一功函数膜在所述第三方向上的所述第一高度小于所述第二功函数膜在所述第三方向上的所述第二高度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一区域是NMOS区域，

其中所述第二区域是PMOS区域，以及

其中所述第一栅极结构在所述第二方向上的第一宽度与所述第二栅极结构在所述第二方向上的第二宽度相同。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅极结构在所述第二方向上的第一宽度大于所述第二栅极结构在所述第二方向上的第二宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一填充导电膜，设置在由所述第一功函数膜限定的第一凹陷内；和

第二填充导电膜，设置在由所述第二功函数膜限定的第二凹陷内，

其中设置在所述第一凹陷内的所述第一填充导电膜在所述第二方向上的第三宽度不同于设置在所述第二凹陷内的所述第二填充导电膜在所述第二方向上的第四宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中设置在所述第一凹陷内的所述第一填充导电膜在所述第二方向上的所述第三宽度大于设置在所述第二凹陷内的所述第二填充导电膜在所述第二方向上的所述第四宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一纳米线和第二纳米线，在所述第三方向上依次堆叠在所述基板的所述第一区域上，

其中所述第一栅极结构围绕所述第一纳米线和所述第二纳米线中的每个。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一功函数膜的上表面形成为低于所述第一栅极绝缘膜的上表面，以及

其中所述第二功函数膜的上表面形成为低于所述第二栅极绝缘膜的上表面。

11.一种半导体器件，包括：

基板，包括第一区域和第二区域；

第一栅极结构，在所述基板的所述第一区域上沿第一方向延伸，所述第一栅极结构包括第一功函数膜和设置在由所述第一功函数膜限定的第一凹陷内的第一填充导电膜；以及

第二栅极结构，在所述基板的所述第二区域上沿所述第一方向延伸，所述第二栅极结构包括第二功函数膜和设置在由所述第二功函数膜限定的第二凹陷内的第二填充导电膜，

其中设置在所述第一凹陷内的所述第一填充导电膜在与所述第一方向交叉的第二方向上的第一宽度不同于设置在所述第二凹陷内的所述第二填充导电膜在所述第二方向上的第二宽度，以及

其中所述第一功函数膜在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上的第一高度不同于所述第二功函数膜在所述第三方向上的第二高度。