[发明专利]一种太阳能电池制备方法及半导体结构有效

专利信息
申请号: 202110391310.0 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN112802926B 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 杨睿;金井升;侯乾坤;张昕宇 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请实施例涉及光伏新能源领域,特别涉及一种太阳能电池制备方法及半导体结构,其中,太阳能电池制备方法包括:在基底的正面制绒;对正面进行扩散处理以形成掺杂层;在基底的背面形成钝化层;在钝化层远离基底的一面形成掩膜层,其中,掩膜层包括可挥发性材料;在掩膜层远离钝化层的一面印刷导电浆料;加热导电浆料以使导电浆料形成电极,其中,在加热过程中,掩膜层至少部分挥发;本申请实施例提供的太阳能电池制备方法及半导体结构,减少了导电浆料入侵基底或太阳能电池的其他结构的深度,在太阳能电池使用时,可减少复合损失,从而提升太阳能电池效率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 制备 方法 半导体 结构
【主权项】:
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