[发明专利]一种NOR FLASH存储器功能测试方法在审
| 申请号： | 202110382692.0 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115206408A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 刘玏;杨超;马成英;李智;温恒娟;张金凤;吴迪;谢向桅;岳靖雨 | 申请（专利权）人： | 北京振兴计量测试研究所 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种NOR FLASH存储器功能测试方法，对支持串行输入串行输出和串行输入并行输出逻辑功能测试方法的待测存储器，确定逻辑功能测试用的写入指令或读取指令的使用方法；选择功能测试类型及所用到的目标数据，对待测存储器的管脚进行分组定义；采用串入单出、串入双出、串入四出的方式执行对存储器的写入数据与读取数据的操作，实现对存储器功能测试。本发明所实现的对存储器的功能测试方法，能够更加全面、灵活、高效率地验证器件的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nor flash 存储器 功能 测试 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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