[发明专利]一种NOR FLASH存储器功能测试方法在审

专利信息
申请号: 202110382692.0 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN115206408A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 刘玏;杨超;马成英;李智;温恒娟;张金凤;吴迪;谢向桅;岳靖雨 申请(专利权)人: 北京振兴计量测试研究所
主分类号: G11C29/18 分类号: G11C29/18;G11C29/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100074 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 nor flash 存储器 功能 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种NORFLASH存储器功能测试方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤一、对支持串行输入串行输出和串行输入并行输出逻辑功能测试方法的待测存储器,查询针对于存储器在实现其逻辑功能测试过程中所用到的写入指令或读取指令,确定逻辑功能测试用的写入指令或读取指令的使用方法,所述使用方法为串入单出、串入双出或串入四出方式;

步骤二、明确功能测试类型及相应目标数据,对存储器的管脚依据功能测试类型的不同进行分组定义;

步骤三、根据所选串入单出、串入双出、串入四出的功能测试方法执行对存储器的写入数据与读取数据操作,实现对存储器逻辑功能的验证。

2.根据权利要求1所述的一种NORFLASH存储器功能测试方法,其特征在于,步骤二所述功能测试类型选择,具体方法如下:

所述功能测试类型选择指的是针对存储器的功能测试算法,包含全存储阵列内部写全0、全存储阵列内部写全1、全存储阵列内部写棋盘格或者反棋盘格,所述功能测试类型选择是随意的,一旦确定了功能测试的类型后,则相应地操作目标数据是固定的,全0功能算法对应的目标数据是0,全1功能算法对应的目标数据是1,棋盘功能算法所对应的目标数据是5A,反棋盘功能算法所对应的目标数据是A5。

3.根据权利要求2所述的一种NORFLASH存储器功能测试方法,其特征在于,每一种功能测试算法对应串入单出、串入双出、串入四出中的一种测试方式。

4.根据权利要求1所述的一种NORFLASH存储器功能测试方法,其特征在于,步骤三所述对存储器的写入数据与读出数据的操作,方法如下:

以串入单出的测试方式实现对存储器逻辑功能测试的过程中,首先向存储器内部的存储阵列写入数据,写入的数据以8比特为1个字节,通过输入管脚依次输入相关指令、地址和数据后来完成将数据写入到内部存储阵列,执行过程中存储器的输入管脚是唯一且固定的,单周期内通过输入管脚每次写入过程涉及到1个地址、1个数据;所需输入的数据根据测试类型的不同,写入的数据也会有所不同;在写入数据完毕后,开始执行读取数据操作,读取的数据以8比特为1个字节,通过输入管脚依次输入相关指令、地址和数据,从输出管脚读取数据,单个周期内在单个地址下通过输出管脚读取1个数据,并将读取的数据与之前的输入数据进行比较,从而验证器件的逻辑功能;

在以串入双出和串入四出的测试方式实现对存储器逻辑功能的测试过程中,写入数据与读取数据的操作过程与串入单出的操作相类似,区别在于输出管脚的数量和单周期内写入地址的数量不同,对于串入双出形式,单周期内每次读取过程分别通过2个管脚读取出4位数据;在以串入四出的测试方式实现对存储器逻辑功能的测试过程中,存储器对应4个输出管脚,单周期内每次写入4个地址,每次写入过程涉及到4个地址、4个数据,单周期内每次读取过程分别通过4个管脚读出4位数据。

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