[发明专利]一种NOR FLASH存储器功能测试方法

说明书

本发明提供了一种NOR FLASH存储器功能测试方法，对支持串行输入串行输出和串行输入并行输出逻辑功能测试方法的待测存储器，确定逻辑功能测试用的写入指令或读取指令的使用方法；选择功能测试类型及所用到的目标数据，对待测存储器的管脚进行分组定义；采用串入单出、串入双出、串入四出的方式执行对存储器的写入数据与读取数据的操作，实现对存储器功能测试。本发明所实现的对存储器的功能测试方法，能够更加全面、灵活、高效率地验证器件的功能。

技术领域

本申请涉及存储领域，尤其涉及一种NOR FLASH存储器功能测试方法。

背景技术

FLASH存储器作为一种非易失性存储器，由于其特有的低功耗，存储宽度灵活等特性被广泛应用于各种便携式电子设备中。由于深亚微米工艺的不确定性，FLASH存储器在生产过程中存在各种缺陷，从而导致存储器失效，成品率降低。如何能够发现存在的缺陷问题，减少设计师使用过程中的隐患，成为业界非常关注的问题。

本发明专利中所提及到的存储器是一款NOR FLASH，其主要的特点是数据逐位输入到存储器内部，但输出方式既支持串行输出也支持并行输出。但并行输出的形式并不易实现，难点主要体现在测试过程中需要对存储器的管脚重新配置，对存储器的寻址方式应根据输出管脚数的不同进行重新分配，同时也对输入输出指令的应用、硬件的制作等方面都提出了相应的要求。

目前NOR FLASH存储器功能测试过程中通常采取的测试方法是串行输入串行输出的方法，但有些存储器除了支持上述的测试方法外也支持串行输入并行输出的方式。测试过程中采取将串行输入串行输出和串行输入并行输出相结合的方法实现对存储器的测试，这样可以实现对存储器的功能测试和直流参数测试。

发明内容

本发明需解决的技术问题是提供一种测试效率高、串并结合的NOR FLASH存储器功能测试方法。

为解决上述技术问题，本发明提供的一种NOR FLASH存储器功能测试方法，采取技术方案如下：

步骤一、对支持串行输入串行输出和串行输入并行输出逻辑功能测试方法的待测存储器，查询针对于存储器在实现其逻辑功能测试过程中所用到的写入指令或读取指令，确定逻辑功能测试用的写入指令或读取指令的使用方法，所述使用方法为串入单出、串入双出或串入四出方式；

步骤二、明确功能测试类型及相应目标数据，对存储器的管脚依据功能测试类型的不同进行分组定义；

步骤三、根据所选串入单出、串入双出、串入四出的功能测试方法执行对存储器的写入数据与读取数据操作，实现对存储器逻辑功能的验证。

进一步地，步骤二所述功能测试类型选择，具体方法如下：

所述功能测试类型选择指的是针对存储器的功能测试算法，包含全存储阵列内部写全0、全存储阵列内部写全1、全存储阵列内部写棋盘格或者反棋盘格，所述功能测试类型选择是随意的，一旦确定了功能测试的类型后，则相应地操作目标数据是固定的，全0功能算法对应的目标数据是0，全1功能算法对应的目标数据是1，棋盘功能算法所对应的目标数据是5A，反棋盘功能算法所对应的目标数据是A5。

优选地，每一种功能测试算法对应串入单出、串入双出、串入四出中的一种测试方法。

进一步地，步骤三所述对NOR FLASH存储器的写入指令或读取指令的操作，方法如下：