[发明专利]沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构在审
| 申请号： | 202110382522.2 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113193039A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 张曌;李杰 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 刘广 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种沟槽型IGBT原胞结构制作方法和沟槽型IGBT原胞结构，该方法包括：在导电单晶片上形成氧化层，在两个原胞间的氧化层上生长locos氧化层薄膜；用淀积氧化层作为硬掩模来制作硅槽，并在硅槽生长牺牲氧化层进行腐蚀，再生成栅氧化层；淀积掺杂多晶，刻蚀位于对应发射区接触孔位置的多晶，并掺杂注入形成原胞上P阱结构，扩散形成P阱；在P阱注入砷杂质并扩散形成电流区结构；淀积掺杂氧化层，在掺杂氧化层形成发射区接触孔，刻蚀发射区接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱，并在电流区结构底部注入硼离子掺杂形成硼晕环；对发射区接触孔注入的晕环后进行有孔退火，并淀积金属形成发射区的接触引线金属。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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