[发明专利]氟锗酸钪铷锂非线性光学晶体及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110382308.7 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115198364A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 夏明军;唐川;李如康 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B9/12;C30B7/10;C01G17/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 高东丽 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种氟锗酸钪铷锂化合物和氟锗酸钪铷锂非线性光学晶体。氟锗酸钪铷锂非线性光学晶体具有非中心对称结构，属于三方晶系，可采用助熔剂法或水热法制备出高质量、大尺寸的晶体。该晶体具有大的非线性光学效应，约为KDP晶体的2～3倍；同时该晶体具有对称性高、透光范围宽，物化性能稳定，机械性能好，不易碎和潮解，易于切割、抛光加工和保存等优点，在制备激光非线性光学复合功能器件和制备压电器件方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氟锗酸钪铷锂 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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