[发明专利]GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备在审
| 申请号： | 202110381182.1 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN113113494A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张卫;徐敏;陈鲲;杨静雯;王晨;徐赛生;吴春蕾;尹睿 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟;陈成 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积大于NMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积，提高了GAA晶体管结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | gaa 晶体管 结构 及其 制备 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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