[发明专利]一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺在审
| 申请号： | 202110379306.2 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113113306A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张恩慧 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种利用耐高温托盘进行化合物半导体晶圆高温回火工艺，包括以下步骤：S1、在耐高温托盘表面开设放置槽；S2、机械打磨化合物半导体基板；S3、将化合物半导体基板放入耐高温托盘表面的放置槽中，通过加热氧化在化合物半导体基板表面形成一层介电膜；S4、化合物半导体基板与硅基载板形成永久键合结构；S5、将化合物半导体基板和硅基载板取下，进行后续晶圆制程。本发明通过耐高温的托盘承载小尺寸的化合物半导体基板进行高温制程，可以一次对多块小尺寸的化合物半导体基板进行高温回火，高温制程后直接将硅基载板覆盖在半导体基板表面进行永久键合，极大的提高化合半导体晶圆的加工效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 耐高温 托盘 进行 化合物 半导体 高温 回火 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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