[发明专利]半导体器件的接触件及其形成方法

摘要

本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极/漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道区域之上；第二沟道区域，在衬底中与第二源极/漏极区域相邻，第二沟道区域的顶表面低于第一沟道区域的顶表面；第二栅极，在第二沟道区域之上；ILD，在第一栅极和第二栅极之上；第一接触件，其延伸穿过ILD并且耦合到第一源极/漏极区域；以及第二接触件，其延伸穿过ILD、耦合到第二源极/漏极区域、并且具有大于第一接触件的宽度的宽度和大于第一接触件的高度的高度。