[发明专利]半导体器件的接触件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一沟道区域，所述第一沟道区域在半导体衬底中与第一源极/漏极区域相邻；

第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠在所述第一沟道区域之上；

第二沟道区域，所述第二沟道区域在所述半导体衬底中与第二源极/漏极区域相邻，其中，所述第二沟道区域的顶表面被设置为低于所述第一沟道区域的顶表面；

第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述第二沟道区域之上；

层间电介质ILD，所述ILD在所述第一栅极堆叠、所述第二栅极堆叠、所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之上；

第一源极/漏极接触件，所述第一源极/漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极接触件具有第一宽度和第一高度；以及

第二源极/漏极接触件，所述第二源极/漏极接触件延伸穿过所述ILD并且电耦合到所述第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极接触件具有大于所述第一宽度的第二宽度和大于所述第一高度的第二高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第一栅极堆叠；以及

第二栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第二栅极堆叠，所述第一栅极接触件具有第三宽度和第三高度，所述第二栅极接触件具有等于所述第三宽度的第四宽度和等于所述第三高度的第四高度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二宽度大于所述第三宽度和所述第四宽度中的每一者，并且其中，所述第二高度大于所述第三高度和所述第四高度中的每一者。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极接触件、所述第二源极/漏极接触件、所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件的顶表面彼此齐平，其中，所述第二源极/漏极接触件的底表面被设置为低于所述第一源极/漏极接触件的底表面，并且其中，所述第一源极/漏极接触件的底表面被设置为低于所述第一栅极接触件和所述第二栅极接触件的底表面。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一宽度等于所述第三宽度和所述第四宽度中的每一者。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一高度大于所述第三高度和所述第四高度中的每一者。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比率为1.5至50。

8.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括：

第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠在半导体衬底之上，所述第一栅极堆叠具有第一高度；

第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域与所述第一栅极堆叠相邻；

第一栅极接触件，所述第一栅极接触件电耦合到所述第一栅极堆叠，所述第一栅极接触件的顶表面具有第一宽度；以及

第一源极/漏极接触件，所述第一源极/漏极接触件电耦合到所述第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极接触件的顶表面具有大于所述第一宽度的第二宽度；以及

第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠在所述半导体衬底之上，所述第二栅极堆叠具有小于所述第一高度的第二高度；

第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极区域与所述第二栅极堆叠相邻；以及

第二源极/漏极接触件，所述第二源极/漏极接触件电耦合到所述第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极接触件的顶表面具有小于所述第二宽度的第三宽度。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第二宽度与所述第一宽度的比率为1.5至50，并且所述第二宽度与所述第三宽度的比率为1.5至50。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底之上形成第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极堆叠和与所述第一栅极堆叠相邻的第一源极/漏极区域，所述第二晶体管包括第二栅极堆叠和与所述第二栅极堆叠相邻的第二源极/漏极区域；

在所述第一晶体管和所述第二晶体管之上形成层间电介质ILD；

在所述ILD之上沉积光致抗蚀剂；

图案化所述光致抗蚀剂以形成图案化的光致抗蚀剂，所述图案化的光致抗蚀剂包括在所述第一源极/漏极区域正上方的第一开口、在所述第二源极/漏极区域正上方的第二开口、和在所述第一栅极堆叠正上方的第三开口，所述第一开口具有第一宽度，所述第二开口具有第二宽度，所述第三开口具有第三宽度，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度和所述第三宽度中的每一者；

使用所述图案化的光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻所述ILD；以及

形成电耦合到所述第一源极/漏极区域的第一接触件、电耦合到所述第二源极/漏极区域的第二接触件、和电耦合到所述第一栅极堆叠的第三接触件，所述第一接触件具有第一高度，所述第一高度大于所述第二接触件的第二高度和所述第三接触件的第三高度中的每一者。