[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 202110376774.4 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112768574B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杨国文;唐松 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体加工的技术领域，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：S1.在半导体结构的上表面上形成掩模结构，并经过刻蚀，在掩模结构上形成开口；S2.通过所述开口，利用刻蚀等离子气体刻蚀掩模结构底部的半导体结构，形成上沟槽结构，在刻蚀形成的上沟槽结构的底部边沿区域和侧壁形成有有机物残余物；S3.刻蚀上沟槽结构的底部，形成下沟槽结构；其中，下沟槽结构的宽度小于上沟槽结构的宽度；S4.在上沟槽结构和下沟槽结构进行离子注入，形成高阻区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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