[发明专利]多微波源等离子体化学气相沉积装置有效
申请号: | 202110376021.3 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113088938B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 杨阳;朱铧丞 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 韩雪 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了多微波源等离子体化学气相沉积装置,属于微波应用技术领域,包括屏蔽外壳、石英围挡、基台和若干个微波源;屏蔽外壳内设有反应腔;反应腔内设有石英围挡;石英围挡的顶部和底部分别延伸至屏蔽外壳的顶板和底板;石英围挡包围有基体腔;屏蔽外壳的顶板和底板分别封闭基体腔的顶部和底部;基体腔内设有基台;基台用于放置基体;屏蔽外壳上设有和微波源一一对应的馈口;馈口用于对应的微波源向基体腔之外的反应腔内输入微波。本发明的多微波源等离子体化学气相沉积装置,制出的金刚石薄膜质量高,不含杂质,对微波源功率要求低,成本低,微波能量利用率高,电场强度高,场强分布集中,各微波输入端口之间隔离度大。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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