[发明专利]一种铝掺杂4H碳化硅的激光热处理方法在审
| 申请号： | 202110373588.5 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113097059A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 叶宏伦;蔡斯元;蔡期开;洪天河;钟其龙;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 芯璨半导体科技（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/04 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 250000 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种铝掺杂4H碳化硅的激光热处理方法，其首先把注入铝受体碳化硅放置纯Ar气下；然后以Nd:YAG激光脉冲第一阶段照射在Al受主制备P型区上；再以Nd:YAG激光脉冲第二阶段照射在Al受主制备P型区上；最后以Nd:YAG激光脉冲第三阶段照射在Al受主制备P型区上，完成注入后热处理工艺。本发明采用Nd:YAG激光，接近4H碳化硅能量带宽度3.23eV，提高晶体取受收光能的效率。同时激光的小光点特性可以有效的只针对注入的P型区域加热，不同以热管加热的方式全面升温。三阶段的加热是改善加热时晶体内緃向的温度梯度，这样最终可以有效降低表面的最高温度，改善在高温退火过程中发生的表面恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 激光 热处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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