[发明专利]一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法有效
| 申请号： | 202110363903.6 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113089089B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B29/36;C30B33/10 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 杨永梅 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本说明书实施例公开了一种碳化硅晶体制备装置及其生长方法，所述方法在多腔体生长装置中进行，所述多腔体生长装置包括多个腔体；所述方法包括：将至少一个衬底依次在多个腔体之间进行传送和处理；在所述多个腔体中的一个腔体内，通过气相沉积生长碳化硅晶体，得到包含所述衬底和碳化硅晶体的至少一个组合晶体；在第一温度区间，使用刻蚀溶液对所述组合晶体进行刻蚀，得到基面位错密度为120‑2000cm |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体 制备 装置 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
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