[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110360005.5 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113517310A | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张恒;刘峻;黄诗琪;彭首春;雷威锋 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李路遥;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一地址线和存储堆叠单元；所述第一堆叠结构包括沿第二方向交替设置的第一间隙和第一功能结构以及沿第二方向交替设置的第一间隙和第一非功能结构；所述第一非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第一非功能结构中的部分被去除；填充层，设置于所述第一间隙中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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