[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一地址线和存储堆叠单元；

所述第一堆叠结构包括沿第二方向交替设置的第一间隙和第一功能结构以及沿第二方向交替设置的第一间隙和第一非功能结构；所述第一非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第一非功能结构中的部分被去除；

填充层，设置于所述第一间隙中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一功能结构与所述第一非功能结构的结构相同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一非功能结构位于第一区域；所述第一区域包括第一子区域和第二子区域；所述第一子区域为对应于存在器件结构的区域，第二子区域为对应于不存在器件结构的区域；其中，所述第一非功能结构位于所述第一子区域的部分被去除，所述第一非功能结构位于所述第二子区域的部分未被去除。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一堆叠结构还包括：第二地址线；

所述第一堆叠结构包括沿第一方向交替排列的第二间隙和第二功能结构以及沿第一方向交替设置的第二间隙和第二非功能结构；所述第二非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第二非功能结构中的部分被去除；

填充层，设置于所述第二间隙中。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二功能结构与所述第二非功能结构的结构相同。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述第二非功能结构位于第二区域；所述第二区域包括第三子区域和第四子区域；所述第三子区域为对应于存在器件结构的区域，第四子区域为对应于不存在器件结构的区域；其中，所述第二非功能结构位于所述第三子区域的部分被去除，所述第二非功能结构位于所述第四子区域的部分未被去除。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

位于所述第二功能结构上的第二堆叠结构，所述第二堆叠结构包括第三地址线和存储堆叠单元；

所述第二堆叠结构包括沿第二方向交替排列的第三间隙和第三功能结构以及沿第二方向交替设置的第三间隙和第三非功能结构；所述第三非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第三非功能结构中的部分被去除；

填充层，设置于所述第三间隙中。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第二堆叠结构还包括：第四地址线；

所述第二堆叠结构包括沿第一方向交替排列的第四间隙和第四功能结构以及沿第一方向交替设置的第四间隙和第四非功能结构；所述第四非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；所述第四非功能结构中的部分被去除；

填充层，设置于所述第四间隙中。

9.根据权利要求1或4所述的半导体器件，其特征在于，

所述存储堆叠单元包括相继堆叠的第一电极层、选择器层、第二电极层、相变存储层和第三电极层。

10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一堆叠结构，所述第一堆叠结构包括第一地址线层和存储堆叠层；

在第一方向上对所述第一堆叠结构进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一间隙和第一相变结构体，所述第一方向垂直于所述第二方向；所述第一相变结构体包括第一功能结构和第一非功能结构；所述第一非功能结构作为所述半导体器件的冗余结构；

在所述第一间隙中填充隔热材料，以形成的填充层；

对所述填充层进行平坦化处理，并去除所述第一非功能结构中的部分。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一功能结构与所述第一非功能结构的结构相同。