[发明专利]一种晶圆表面温度探测器及其应用有效
| 申请号： | 202110355711.0 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112735993B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘雪珍;张小宾;高熙隆;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面温度探测器及其应用，包含若干个子探测器，每个所述子探测器用以观察至少一个外设外延片；若干个所述子探测器的分布方式为阵列式分布；每个所述子探测器各包含一个光源和若干个子接收器；所述光源用于发出入射光；所述子接收器用于接收由外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；本发明温度监控对象明确且唯一，同时采用反射率曲线方式进行了温度监控；实现了生长全过程的RT曲线有效监控，进而实现了外延片组分和均匀性生长控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面温度 探测器 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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