[发明专利]一种晶圆表面温度探测器及其应用有效
| 申请号： | 202110355711.0 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN112735993B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘雪珍;张小宾;高熙隆;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面温度 探测器 及其 应用 | ||
1.一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：包含若干个子探测器，每个所述子探测器用以观察至少一个外设外延片；若干个所述子探测器的分布方式为阵列式分布；
每个所述子探测器各包含一个光源和若干个子接收器；
所述光源用于发出入射光；
所述子接收器用于接收由外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；
所述晶圆表面温度探测器与所述外延片竖直方向上处于相对静止的状态以观测外延片的生长过程；
所述观测外延片过程中，在相同时刻，各子探测器中入射光的波长互不相同；
所述外设外延片对应的接收器中探测到与所述外设外延片对应的入射光不同的波长信号；所述外设外延片表面的位置发生翘曲；
所述晶圆表面温度探测器用于监控大尺寸翘曲外延层的生长；
所述大尺寸外延层翘曲的直径大于6英寸；
所述晶圆表面温度探测器具有翘曲监控功能。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：所述光源的形状为眼球状。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：所述入射光的波长范围为300～1800nm。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：所述阵列式分布为同心圆式排列或点阵式排列。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：所述子探测器的密度为1个/10cm2～1个/3cm2。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆表面温度探测器，其特征在于：每个所述子探测器中相邻子接收器的有效探测区域边界充分交叠无盲区。
7.一种如权利要求1至6任一项所述的晶圆表面温度探测器在观测外延片生长过程中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：包括以下步骤：
将外延片置于外延片载具中，并控制所述外延片与所述外延片载具的运动状态保持一致；
依据所述外延片载具的运动状态调整所述晶圆表面温度探测器监控方式，观测外延片的生长过程。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于：所述监控方式为原位式监控或替位式监控。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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