[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，在光电二极管的形成区域中的半导体衬底上形成有深孔，半导体衬底为P型掺杂。在深孔的内侧表面形成有第一P型外延层，在形成有第一P型外延层的深孔中填充有第二N型外延层。光电二极管的N型区由第二N型外延层组成，光电二极管的P型区由N型区底部的第一P型外延层和半导体衬底组成。深孔的根据光电二极管的反偏时的耗尽区的深度要求值设置以实现对光电二极管进行纵向尺寸拓展。第一P型外延层和光电二极管的N型区侧面接触以降低光电二极管的侧面暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能实现对光电二极管的反偏耗尽区深度进行精确调节并从而能对光电二极管进行纵向尺寸进行很好的拓展。