[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202110338965.1 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113284987B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在AlN层上生长非掺杂的第一GaN膜层，将第一GaN膜层浸泡在碱性溶液或酸性溶液中，第一GaN膜层中存在的质量差且较不稳定的GaN材料，会被碱性溶液与酸性溶液去除，第一GaN膜层也被减薄一部分。留下的第一GaN膜层的质量较好，内部的缺陷与应力较少，在干燥之后的第一GaN膜层上沉积的非掺杂的第二GaN膜层的质量也会更好。而底层GaN缓冲层的质量的提高，则可以有效保证后续得到的n型GaN层与多量子阱层的质量较好，最终得到的发光二极管的发光效率也会得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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