[发明专利]发光二极管外延片的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长AlN层；

在所述AlN层上生长非掺杂的第一GaN膜层；

将所述第一GaN膜层浸泡在碱性溶液或酸性溶液中，以在所述第一GaN膜层的表面形成多个微孔，使所述第一GaN膜层被减薄；

对所述第一GaN膜层进行干燥处理；

在所述第一GaN膜层上沉积非掺杂的第二GaN膜层，以形成GaN缓冲层；

在所述GaN缓冲层上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN膜层的生长厚度为20～200nm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一GaN膜层的浸泡时长为0.5～10h。

4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中氢氧根的浓度为0.05mol/L～0.5mol/L，所述酸性溶液中氢离子的浓度为0.05mol/L～0.5mol/L。

5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液中氢氧根的浓度每升高10％～20％，所述第一GaN膜层在所述碱性溶液中浸泡的时长则降低0.5～1h。

6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

将所述第一GaN膜层浸泡在碱性溶液或酸性溶液中之前，向所述衬底所在的反应腔通入氨气与氮气；

在氨气与氮气的混合气体环境下，将所述衬底从所述反应腔取出。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氨气的体积与所述氮气的体积的比值为1:1～1:5。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述衬底与所述第一GaN膜层的冷却时长为10min～30min，且所述衬底与所述第一GaN膜层冷却至20～30℃的过程中，持续向所述反应腔通入流量为50sccm～150sccm的氨气与流量为100sccm～300sccm的氮气。

9.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液的温度与所述酸性溶液的温度均为20～30℃。

10.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二GaN膜层的生长厚度为0.5μm～1μm。