[发明专利]弯曲通道三维垂直存储器结构及其制造方法

摘要

本公开有关于一种弯曲通道三维垂直存储器结构及其制造方法，该垂直存储器结构包括一叠层的交替的多个绝缘材料层和多个字线材料层，具有穿过交替的多个层的垂直开口。多个绝缘材料层和多个字线材料层之一具有面向开口的多个凹入内表面。第一导电柱和第二导电柱是设置于垂直开口内。数据储存结构是设置于多个字线材料层的多个内表面上，包括多个凹入内表面上。半导体通道层是设置于环绕垂直开口的周边的数据储存结构上，并具有与第一导电柱和第二导电柱接触的第一和第二源极/漏极端子。