[发明专利]弯曲通道三维垂直存储器结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直存储器结构，包括：

一叠层的交替的多个绝缘材料层和多个字线材料层，具有穿过交替的该多个层的一垂直开口，该多个绝缘材料层和该多个字线材料层之一具有面向该开口的多个凹入内表面，该多个凹入内表面相对于面向该叠层中交替的该多个层的邻近者的该开口的多个内表面而凹入；

一第一导电柱，位于该垂直开口的一第一侧内和该第一侧上；

一第二导电柱，位于该垂直开口的一第二侧内和该第二侧上，并与该第一导电柱分开；

一数据储存结构，设置于包括该多个凹入内表面的该多个字线材料层的该多个内表面上；以及

一半导体通道层，设置于环绕该垂直开口的一周边的该多个数据储存结构上，并且具有多个第一和第二源极/漏极端子，该多个第一和第二源极/漏极端子是与该垂直开口的该第一侧和该第二侧上的该第一导电柱和该第二导电柱接触。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器结构，其中该多个凹入内表面为该多个绝缘材料层的多个内表面，该通道层是于该多个字线材料层的多个内表面上凸出。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器结构，其中该垂直开口的该周边在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面处具有一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有小于所述给定层的该开口平均半径的一半的多个平均半径。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器结构，其中该垂直开口的该周边在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面处具有一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有大于所述给定层的该开口平均半径的四分之一的多个平均半径。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器结构，其中该多个字线材料层、该通道层、该数据储存结构以及该源/漏端子系形成多个存储单元，该多个存储单元系并联连接于该第一导电柱和该第二导电柱之间。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器结构，其中该多个凹入内表面为该字线材料的多个内表面，该通道层是于该多个字线材料层的多个内表面处凹入。

7.根据权利要求6所述的垂直存储器结构，其中该垂直开口具有一外周，该外周具有在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面上的一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有小于所述给定层的该开口平均半径的一半的多个平均半径。

8.根据权利要求6所述的垂直存储器结构，其中该垂直开口具有一外周，该外周具有在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面上的一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有大于所述给定层的该开口平均半径的四分之一的多个平均半径。

9.一种制造一垂直存储器结构的方法，包括：

形成一叠层的交替的多个绝缘体材料和多个字线材料层，具有穿过交替的该多个层的一垂直开口；

使该多个绝缘材料层和该多个字线材料层之一凹入以形成面对该开口的多个凹入内表面，该多个凹入内表面相对于面对该叠层中交替的该多个层的邻近者的该开口的多个内表面而凹入；

形成一数据储存结构，内衬于该多个字线材料层的该多个内表面上；

形成一半导体通道层，位于环绕该垂直开口的一周边的该数据储存结构上；

形成该垂直开口内与半导体通道层接触的一第一导电柱和一第二导电柱，用以在该垂直开口的该第一侧和该第二侧上形成多个第一和第二源极/漏极端子。

10.根据权利要求9所述的制造垂直存储器结构的方法，其中该多个凹入内表面为该多个绝缘材料层的多个内表面，该通道层是于该多个字线材料层的多个内表面上凸出。

11.根据权利要求10所述的制造垂直存储器结构的方法，其中该垂直开口具有一外周边，该外周边在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面处具有一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有小于所述给定层的该开口平均半径的一半的多个平均半径。

12.根据权利要求10所述的制造垂直存储器结构的方法，其中该垂直开口具有一外周边，该外周边在该叠层中的该多个字线材料层的一给定层的该内表面处具有一开口平均半径，该第一导电柱和该第二导电柱具有大于所述给定层的该开口平均半径的四分之一的多个平均半径。