[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110334733.9 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113506766A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈欣苹;眭晓林;曹敏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供半导体结构的形成方法。方法包括提供半导体基板，与形成图案化金属结构于半导体基板上，其中图案化金属结构包括单一沉积步骤所沉积的第一金属层与第二金属层。方法还包括蚀刻第二金属层的一部分，以形成金属插塞于第二金属层中，而图案化金属结构的第一金属层具有第一金属结构于金属插塞之下并接触金属插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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