[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110325260.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113270364A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄柏瑜;林诗哲;王朝勋;赵高毅;王美匀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，包含形成接触导孔开口于第一介电层中，其中接触导孔开口暴露出接触蚀刻停止层(CESL)的第一部分。上述方法还包含蚀刻被接触导孔开口暴露出的接触蚀刻停止层的第一部分与接触导孔开口的邻近的横向部分，以暴露出源极/漏极接触件并形成具有多个孔洞的扩大的接触导孔开口，所述孔洞设置于该扩大的接触导孔开口的底部的任一侧上。上述方法还包含沉积第一金属层于扩大的接触导孔开口内与所述孔洞内以提供接触导孔与被暴露出的源极/漏极接触件接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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