[发明专利]一种晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110321724.6 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113078052A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;刘冠宇;薛忠营;田子傲;张苗 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管结构及其制备方法，该方法包括：提供一基底；形成石墨烯层于基底的上表面；形成源漏电极层及栅极结构于石墨烯层的上表面；形成支撑层；将由源漏电极层、栅极结构及支撑层组成的复合结构从石墨烯层表面机械剥离；将复合结构转移至目标衬底；去除支撑层，并使源漏电极层及栅极结构留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上沉积电极层及栅介质层，利用石墨烯与电极层、栅介质层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现晶体管结构的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了晶体管结构的可应用范围，减少了晶体管结构制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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