[发明专利]一种阻变存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202110319822.6 | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN112864318B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;孙文绚;余杰;董大年;赖锦茹;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种阻变存储器及其制作方法，在底电极与阻变层之间形成底缓冲层，且底缓冲层的热膨胀系数位于底电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间；及在上电极和阻变层之间形成上缓冲层，且上缓冲层的热膨胀系数位于上电极的热膨胀系数和阻变层的热膨胀系数之间，进而，通过底缓冲层和上缓冲层的设置，消除阻变存储器的电极与阻变层之间的热应力失配情况，提高阻变存储器的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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