[发明专利]分栅存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110313048.8 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113013255A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/11521;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种分栅存储器及其制造方法，所述分栅存储器的衬底的存储单元区包括连接分区和功能分区，所述衬底内设置有源极区，所述源极区两侧的衬底上设置有互为镜像的第一栅极结构和第二栅极结构；在所述连接分区中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的控制栅与所述源极区通过电连接件电性连接。本发明在分栅存储器的存储单元区设置功能分区和连接分区，且在连接分区通过刻蚀工艺暴露第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅及所述源极区，并通过电连接件将暴露的控制栅及源极区引出并连接，省去了存储单元区中第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅单独布线带来的空间成本，节省存储单元区的面积，同时省去了外围控制栅解码电路，简化电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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