[发明专利]分栅存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种分栅存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底的存储单元区包括连接分区和功能分区；

第一栅极结构和第二栅极结构，设置在所述存储单元区，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构均包括依次设置在所述衬底上的浮栅、栅间介质层及控制栅，且所述第二栅极结构是所述第一栅极结构的镜像；

源极区，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述衬底内；

电连接件，包括第一电连接件和第二电连接件；

其中，在所述连接分区，所述第一电连接件分别连接所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的控制栅，所述第二电连接件连接所述源极区，所述第一电连接件和所述第二电连接件电性连接。

2.如权利要求1所述的分栅存储器，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构还包括第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅间介质层上，覆盖所述控制栅靠近所述源极区的一侧，所述第二侧墙位于所述衬底上，覆盖所述第一侧墙及所述控制栅、所述栅间介质层靠近所述源极区的一侧。

3.如权利要求2所述的分栅存储器，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构还包括第三侧墙，所述第三侧墙覆盖所述浮栅、所述栅间介质层及所述控制栅异于所述源极区的一侧。

4.如权利要求3所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的控制栅上还设置有保护层，所述保护层呈楔形，所述楔形的直角面异于所述源极区，所述楔形的斜面靠近所述源极区，所述第一侧墙覆盖部分所述斜面，所述第二侧墙覆盖所述斜面未被所述第一侧墙覆盖的部分，所述第三侧墙覆盖所述保护层的直角面。

5.如权利要求4所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，所述第二侧墙还覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的衬底表面。

6.如权利要求5所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间设置有擦除栅，所述擦除栅位于所述第二侧墙上。

7.如权利要求6所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，所述擦除栅上还形成有擦除栅保护层。

8.如权利要求3所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，还包括覆盖所述第三侧墙的字线及字线侧墙。

9.如权利要求8所述的分栅存储器，其特征在于，在所述功能分区，所述字线异于所述源极区的一侧的衬底内形成有漏极区。

10.如权利要求9所述的分栅存储器，其特征在于，所述电连接件还包括第三电连接件，所述第三电连接件连接所述漏极区。

11.如权利要求10所述的分栅存储器，其特征在于，还包括层间介质层及位于所述层间介质层上的金属层，所述层间介质层覆盖所述衬底、所述第一栅极结构及所述第二栅极结构，所述第一电连接件贯穿所述层间介质层连接所述控制栅和所述金属层，所述第二电连接件贯穿所述层间介质层连接所述源极区和所述金属层，所述第三电连接件贯穿所述层间介质层连接所述漏极区和所述金属层，且所述第一电连接件和所述第二电连接件通过所述金属层电性连接。

12.如权利要求1所述的分栅存储器，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的浮栅与所述衬底之间还形成有栅氧化层。