[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法在审
| 申请号： | 202110309236.3 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113061891A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐源国;申贤哲;金奎布;曹三永;李骐范 | 申请（专利权）人： | 东进世美肯株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 蚀刻 组合 利用 线形 成方 | ||
【主权项】：
暂无信息
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