[发明专利]氮化物半导体元件在审
| 申请号： | 202110308651.7 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113745972A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 佐藤恒辅;岩谷素显 | 申请（专利权）人： | 旭化成株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种氮化物半导体元件，其能够稳定地耐受高电流密度下的驱动而不会发生绝缘化。氮化物半导体元件具备活性层和由AlGaN形成的AlGaN层，所述AlGaN层与上述活性层相比形成在更上方，所述AlGaN层包含Mg、且Al组成比沿着从上述活性层离开的方向减少、且Al组成比大于0.2，上述AlGaN层具有第一AlGaN区域，所述第一AlGaN区域的上述Al组成比的组成倾斜率a1大于0Al％/nm且小于0.22Al％/nm、上述AlGaN层中的上述Mg的浓度b1大于0cm |
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| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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