[发明专利]氮化物半导体元件

权利要求书

1.一种氮化物半导体元件，其具备活性层和由AlGaN形成的AlGaN层，

所述AlGaN层与所述活性层相比形成在更上方，所述AlGaN层包含Mg、且Al组成比沿着从所述活性层离开的方向减少、且所述Al组成比大于0.2，

所述AlGaN层具有第一AlGaN区域，所述第一AlGaN区域的所述Al组成比的组成倾斜率a1大于0Al％/nm且小于0.22Al％/nm、所述AlGaN层中的所述Mg的浓度b1大于0cm^-3且小于7.0×10¹⁹×a1-2.0×10¹⁸cm^-3。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体元件，其中，在所述AlGaN层的上端面，自所述AlGaN层的下端面起AlGaN发生了晶格迟豫。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其中，所述AlGaN层还具备由AlGaN形成的第二AlGaN层，所述第二AlGaN层与所述第一AlGaN区域相比形成在更上方，所述第二AlGaN层包含Mg、且Al组成比沿着从所述第一AlGaN区域离开的方向减少，

所述第二AlGaN层中的所述Al组成比的组成倾斜率a2大于所述组成倾斜率a1，

所述第二AlGaN层中的所述Mg的浓度b2大于所述浓度b1。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体元件，其中，所述第二AlGaN层的上端面的a轴晶格常数c4大于作为与所述第一AlGaN区域的边界面的所述第二AlGaN层的下端面的a轴晶格常数c3。