[发明专利]一种具有三种区域的4H-SiC金属半导体场效应晶体管在审
| 申请号： | 202110307399.8 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113257887A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;董梦宇;王笑伟;朱顺威;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/772 |
| 代理公司： | 西安瀚汇专利代理事务所(普通合伙) 61279 | 代理人： | 汪重庆 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有三种区域的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，源极帽层(4)和漏极帽层(5)，源电极(6)和漏电极(7)，栅电极(8)，轻掺杂区域(9)，氮化硅绝缘区域(10)和重掺杂区域(11)。本发明可以达到以下效果：饱和电流的提高、击穿电压的提高、频率特性的改善和PAE的提高。由于沟道内重掺杂区域的存在，器件的跨导有显著提高，使得器件的PAE有所提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 区域 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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