[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202110289188.6 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113053943B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王晓光 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；第一垂直晶体管，包括第一源极，位于所述第一源极上的第一沟道区，位于所述第一沟道区上的第一漏极，环绕所述第一沟道区的第一栅介质层和第一栅极；位于所述第一漏极上的第一存储结构；第二垂直晶体管，包括所述第一源极，位于所述第一源极上的第二沟道区，位于所述第二沟道区上的第二漏极，环绕所述第二沟道区的第二栅介质层和第二栅极；位于所述第二漏极上的第二存储结构；所述第一源极具有底部结构，连接所述底部结构、第一沟道区和第二沟道区的第一连接结构，连接所述底部结构且位于所述第一沟道区和第二沟道区两侧的第二连接结构。本发明改善了半导体结构的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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