[发明专利]半导体结构的轮廓的判断方法有效
| 申请号： | 202110284726.2 | 申请日： | 2021-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN113053771B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 金若兰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构的轮廓的判断方法，所述方法包括：获取电子束的最佳倾斜角度后，使用所述电子束以所述最佳倾斜角度照射所述半导体结构的侧壁，以得到所述半导体结构的侧壁在垂直于所述电子束入射方向的平面内的正投影的量测宽度；并基于所述量测宽度判断所述半导体结构的底部是否存在颈缩。本发明的判断方法无需破坏晶圆，即可以通过在线量测准确判断半导体结构的底部是否存在颈缩，耗时较少，且无需破坏晶圆，可以明显节约成本，判断结果与切片量测结构关联度更高，判断结构准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 轮廓 判断 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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