[发明专利]一种条形化Micro LED芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，P型电极层将处于同一横列或同一数列的P型GaN层连接。同时本发明还公开了该芯片的制作方法。采用本发明，同一横列或同一数列的发光单元会共同点亮，在封装工艺技术上，只需在P型电极层的两端进行焊接即可，大大降低了封装难度。