[发明专利]一种条形化Micro LED芯片及其制作方法

说明书

本发明涉及Micro LED芯片技术领域，公开了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于衬底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，N型GaN层上镀设有N型电极层，P型GaN层上镀设有P型电极层，GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，隔离槽将GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，隔离槽位于N型GaN层的上方且裸露N型GaN层的顶面，P型电极层将处于同一横列或同一数列的P型GaN层连接。同时本发明还公开了该芯片的制作方法。采用本发明，同一横列或同一数列的发光单元会共同点亮，在封装工艺技术上，只需在P型电极层的两端进行焊接即可，大大降低了封装难度。

技术领域

本发明涉及Micro LED芯片技术领域，特别是涉及一种条形化MicroLED芯片及其制作方法。

背景技术

Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将发光单元距离从毫米级降低至微米级。Micro LED芯片的封装过程涉及到巨量转移技术，现在的Micro LED芯片一般采用共N电极的工艺，P电极单独驱动以控制各个发光单元的点亮。由于发光单元是单独驱动控制的，因此在巨量转移过程中需确保每个发光单元的封装效果，导致封装难度增大。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能降低Micro LED芯片封装难度的条形化Micro LED芯片及其制作方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种条形化Micro LED芯片，包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述P型电极层将处于同一横列或同一数列的所述P型GaN层连接。

作为本发明的优选方案，所述隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔。

作为本发明的优选方案，所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平。

作为本发明的优选方案，所述发光单元上设有保护层，且所述保护层上设有裸露所述P型电极层的导电通道，所述内置N型电极层由所述保护层包覆。

作为本发明的优选方案，所述P型电极层通过所述导电通道凸出于所述P型GaN层。

作为本发明的优选方案，所述N型GaN层上设有台阶，所述发光单元设于所述台阶上。

作为本发明的优选方案，所述P型GaN层与所述P型电极层之间设有ITO层。

同时，本发明还提供了一种条形化Micro LED芯片的制作方法，包括以下步骤：

(1)、制作GaN基外延片，利用MOCVD设备在衬底上自下而上依次沉积出N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，形成GaN基外延片；

(2)、在所述GaN基外延片上刻蚀出多个纵横交错分布的隔离槽，使N型GaN层的顶面裸露，同时将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元；

(3)、在所述N型GaN层上镀设N型电极层和内置N型电极层，其中所述内置N型电极层设于所述隔离槽内且所述N型电极层的侧边与所述发光单元相隔；

(4)、在所述发光单元的所述P型GaN层上镀设ITO层；