[发明专利]一种条形化Micro LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种条形化Micro LED芯片，其特征在于：包括衬底和设于所述衬底上的GaN基外延片，所述GaN基外延片自下而上依次设有N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，所述N型GaN层上镀设有N型电极层，所述P型GaN层上镀设有P型电极层，其特征在于：所述GaN基外延片设有多个纵横交错分布的隔离槽，所述隔离槽将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元，所述隔离槽位于所述N型GaN层的上方且裸露所述N型GaN层的顶面，所述P型电极层将处于同一横列或同一数列的所述P型GaN层连接。

2.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述隔离槽内的N型GaN层的裸露顶面镀设有与所述N型电极层一体成型的内置N型电极层，所述内置N型电极层的侧边与所述发光单元相隔。

3.根据权利要求2所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述内置N型电极层的高度与所述发光量子阱层持平。

4.根据权利要求2所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述发光单元上设有保护层，且所述保护层上设有裸露所述P型电极层的导电通道，所述内置N型电极层由所述保护层包覆。

5.根据权利要求4所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型电极层通过所述导电通道凸出于所述P型GaN层。

6.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述N型GaN层上设有台阶，所述发光单元设于所述台阶上。

7.根据权利要求1所述的条形化Micro LED芯片，其特征在于：所述P型GaN层与所述P型电极层之间设有ITO层。

8.一种条形化Micro LED芯片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)、制作GaN基外延片，利用MOCVD设备在衬底上自下而上依次沉积出N型GaN层、发光量子阱层和P型GaN层，形成GaN基外延片；

(2)、在所述GaN基外延片上刻蚀出多个纵横交错分布的隔离槽，使N型GaN层的顶面裸露，同时将所述GaN基外延片划分为多个矩阵阵列布置的发光单元；

(3)、在所述N型GaN层上镀设N型电极层和内置N型电极层，其中所述内置N型电极层设于所述隔离槽内且N型电极层的侧边与所述发光单元相隔；

(4)、在所述发光单元的所述P型GaN层上镀设ITO层；

(5)、在所述发光单元上沉积一层SiO2材质的保护层，其中所述保护层将所述内置电极层包覆；

(6)、在所述保护层上刻蚀出使所述ITO层露出的导电通道；

(7)、在所述导电通道内蒸镀上P型电极层，其中处于同一横列或同一数列的所述P型电极层相连。