[发明专利]掩模图案的设计方法、光掩模的设计方法与光掩模在审
| 申请号： | 202110277284.9 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN113009773A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩玉辉;周文犀 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/70 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的掩模图案的设计方法，包括：设计所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；基于所述功能区对应的掩模图案中的图形，在所述功能区对应的掩模图案周围形成虚设的掩模图案。本发明的半导体器件的掩模图案的设计方法，可以在半导体器件的制造过程中，改善负载效应带来的半导体结构的均一性问题，同时有利于保证产品的质量与性能，并可节省工艺面积，提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 设计 方法 光掩模 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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