[发明专利]掩模图案的设计方法、光掩模的设计方法与光掩模

说明书

本发明提供一种半导体器件的掩模图案的设计方法，包括：设计所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；基于所述功能区对应的掩模图案中的图形，在所述功能区对应的掩模图案周围形成虚设的掩模图案。本发明的半导体器件的掩模图案的设计方法，可以在半导体器件的制造过程中，改善负载效应带来的半导体结构的均一性问题，同时有利于保证产品的质量与性能，并可节省工艺面积，提高生产率。

技术领域

本发明主要涉及半导体技术，尤其涉及一种用于制作半导体器件的掩模图案的设计方法、光掩模的设计方法、半导体器件的光掩模和半导体器件的制造方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，掩模图案(或光罩)的设计与光掩模的制作与最终形成的半导体结构密切相关。在一些半导体器件，例如三维存储器中，器件边缘区域的结构由于负载效应的影响，容易对器件的结构和功能产生影响。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体器件的掩模图案的设计方法，改进刻蚀形成半导体器件结构时，负载效应带来的结构分布不均一的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体器件的掩模图案的设计方法，包括：设计所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；基于所述功能区对应的掩模图案中的图形，在所述功能区对应的掩模图案周围形成虚设的掩模图案。

在本发明的一实施例中，所述功能区对应的掩模图案包括全局设计图案和局部区域设计图案。

在本发明的一实施例中，所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和/或第二类虚设图案。

在本发明的一实施例中，当所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案在所述第一类虚设图案的外侧，且所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸相同，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸。

在本发明的一实施例中，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。

在本发明的一实施例中，当所述虚设的掩模图案只包括第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸。

在本发明的一实施例中，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。

在本发明的一实施例中，所述功能区的掩模图案中的图形包括孔形、正方形、长条形或椭圆形。

本发明还提供一种光掩模的设计方法，包括使用前所述的方法设计光掩模。

本发明还提供一种半导体器件的光掩模，包括：与所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；虚设的掩模图案，所述虚设的掩模图案位于所述功能区对应的掩模图案周围。

本发明还提供一种半导体器件的制造方法，包括使用如前所述的光掩模制造所述半导体器件的至少一半导体层。

本发明还提供一种半导体器件，所述半导体器件的至少一半导体层是使用如前所述的光掩模制造。

与现有技术相比，本发明的半导体器件的掩模图案的设计方法，可以在半导体器件的制造过程中，改善负载效应带来的半导体结构的均一性问题，同时有利于保证产品的质量与性能，并可节省工艺面积，提高生产率。

附图说明

附图是为提供对本申请进一步的理解，它们被收录并构成本申请的一部分，附图示出了本申请的实施例，并与本说明书一起起到解释本发明原理的作用。附图中：

图1是设计的掩模图案与刻蚀形成的半导体结构的对应关系的示意图。