[发明专利]掩模图案的设计方法、光掩模的设计方法与光掩模

权利要求书

1.一种半导体器件的掩模图案的设计方法，包括：

设计与所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；

基于所述功能区对应的掩模图案中的图形，在所述功能区对应的掩模图案周围形成虚设的掩模图案。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，所述功能区对应的掩模图案包括全局设计图案和局部区域设计图案。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和/或第二类虚设图案。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，当所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案在所述第一类虚设图案的外侧，且所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸相同，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。

6.根据权利要求3所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，当所述虚设的掩模图案只包括第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的掩模图案的设计方法，其特征在于，所述功能区的掩模图案中的图形包括孔形、正方形、长条形或椭圆形。

9.一种光掩模的设计方法，包括使用如权利要求1-8任一项所述的方法设计光掩模。

10.一种半导体器件的光掩模，包括：

与所述半导体器件的功能区对应的掩模图案；

虚设的掩模图案，所述虚设的掩模图案位于所述功能区对应的掩模图案周围。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，所述功能区对应的掩模图案包括全局设计图案和局部区域设计图案。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和/或第二类虚设图案。

13.根据权利要求12所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，当所述虚设的掩模图案包括第一类虚设图案和第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案在所述第一类虚设图案的外侧，且所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸相同，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述第一类虚设图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。

15.根据权利要求12所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，当所述虚设的掩模图案只包括第二类虚设图案时，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸小于所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸。

16.根据权利要求15所述的半导体器件的光掩模，其特征在于，所述第二类虚设图案中的图形的关键尺寸与所述功能区的掩模图案中的图形的关键尺寸的比值介于1/2-3/5之间。