[发明专利]片上变压器及其制作方法在审
| 申请号： | 202110276676.3 | 申请日： | 2021-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN115083768A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;张荣华;李晨浩;梁家豪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01F41/04 | 分类号： | H01F41/04;H01F41/20;H01F19/00;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种片上变压器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层。本方案可以通过沉积工艺在同一衬底上形成依次交替层叠的线圈和介质层，通过四层线圈和三层介质层即可构成同一片上变压器，不仅可以提升频率和效率，还可以大幅度减小面积，结构简单，体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 变压器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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