[发明专利]双极晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110268587.4 | 申请日： | 2021-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN112864230A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 深圳市昭矽微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/732;H01L21/331 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 林青中 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双极晶体管及其制备方法，其包括衬底层、层叠设置于衬底层上的第一外延层、层叠设置于第一外延层上的第二外延层、接触第二外延层设置的第三外延层、以及贯穿第二外延层并嵌入第一外延层中的第四外延层，第三外延层与第四外延层间隔设置，第四外延层嵌入第一外延层中的深度≥1μm。该双极晶体管的第四外延层实际上可作为基极接触区。该基极接触区能够形成较深的基极接触区耗尽层，当器件承担集电极‑基极反偏电压时，通过基极接触区耗尽层夹断来保护基区，能够有效提升器件的集电极‑基极击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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