[发明专利]一种三维存储器及散热管道的形成方法有效
申请号: | 202110266545.7 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN112951994B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 杨红心;刘峻 | 申请(专利权)人: | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
主分类号: | H10N70/20 | 分类号: | H10N70/20;H10B63/00;G11C13/00 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法,其中,所述三维存储器包括:衬底;多个堆栈结构,所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上,其中,每一所述堆栈结构包括多个存储块,所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面;至少一条散热管道,所述至少一条散热管道位于每一堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间,且每一条所述散热管道中填充有散热剂。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 存储器 散热 管道 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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