[发明专利]一种三维存储器及散热管道的形成方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底；

多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；

散热管道，所述散热管道位于每一所述堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，所述散热管道中填充有散热剂；所述多个堆栈结构中，沿所述第一方向延伸的所述散热管道相互连通，且相互连通的所述散热管道位于每相邻所述存储块的中心。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述散热剂包括水或导热油。

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述散热管道的横截面形状包括以下任意一种：椭圆形、圆形或任意多边形；

所述散热管道的管道形状包括以下任意一种：直线型、L型、U型或蛇形。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，每相邻的两个所述存储块之间具有一个或多个所述散热管道，其中，多个所述散热管道均匀或非均匀地排布于两个所述存储块之间。

5.一种散热管道的形成方法，其特征在于，应用于三维存储器，所述方法包括：

在所述三维存储器的衬底上形成多个沿第一方向依次堆叠的堆栈结构，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；

在每一所述堆栈结构中，每相邻的两个所述存储块之间形成刻蚀孔；

在所述刻蚀孔中填充散热剂，对应形成位于每一所述堆栈结构中的散热管道；多个所述堆栈结构中，沿所述第一方向延伸的所述散热管道相互连通，且相互连通的所述散热管道位于每相邻所述存储块的中心。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面，或，所述刻蚀孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面；

当所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面时，对应所述刻蚀孔所形成的所述散热管道，位于所述堆栈结构的底部与顶部之间；

当所述刻蚀孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面时，对应所述刻蚀孔所形成的所述散热管道，在所述第一方向上的高度小于预设高度值。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，每一所述存储器块包括多个存储器单元，每一所述存储器单元具有一存储柱，所述存储柱具有所述预设高度值。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

沿所述第一方向，依次堆叠多个所述堆栈结构，形成存储器阵列；

刻蚀所述存储器阵列，以在垂直于所述第一方向的平面内的多个相邻存储块的中心，形成所述刻蚀孔，其中，所述刻蚀孔贯通每一所述堆栈结构；

在所述刻蚀孔中填充所述散热剂，形成位于所述存储器阵列中的所述散热管道。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述三维存储器的衬底上形成多个沿第一方向依次堆叠的堆栈结构，包括：

在所述三维存储器的衬底上，形成多个沿第一方向依次堆叠的存储叠层；

在第二方向和/或第三方向上，对每一所述存储叠层进行刻蚀，形成具有多个第一间隙和/或第二间隙的相变存储单元，所述第一方向与所述第二方向和所述第三方向两两相互垂直，所述第二方向和所述第三方向构成的平面平行于所述衬底所在的平面；

在每一所述第一间隙和/或所述第二间隙中填充间隙材料，以形成所述堆栈结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在每一所述堆栈结构中，每相邻的两个所述存储块之间形成刻蚀孔，包括：

刻蚀每相邻的两个所述存储块之间的所述间隙材料，以形成位于每一所述堆栈结构中的所述刻蚀孔。