[发明专利]一种三维存储器及散热管道的形成方法

说明书

本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法，其中，所述三维存储器包括：衬底；多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。

技术领域

本申请实施例涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种三维存储器及散热管道的形成方法。

背景技术

三维存储器包括存储器阵列以及用于控制往返于存储器阵列的信号的外围器件。目前常用的三维存储器为三维相变存储器(Three Dimensional Phase Change Memory，3DPCM)，由于相变存储器是通过电加热的方式对相变材料进行热处理，通过相变材料的晶态或非晶态进行数据写入的，因此，存储器阵列内部会积聚大量的热量，导致环境温度升高，这将会影响相变存储器的数据保留或写入性能。因此，如何冷却存储器阵列并保持较低的环境温度是本领域的重要研究方向。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种三维存储器及散热管道的形成方法。

本申请的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种三维存储器，包括：

衬底；

多个堆栈结构，所述多个堆栈结构沿第一方向依次形成于所述衬底之上，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；

至少一条散热管道，所述至少一条散热管道位于每一所述堆栈结构中每相邻的两个所述存储块之间，且每一条所述散热管道中填充有散热剂。

在一些实施例中，所述散热剂包括水或导热油。

在一些实施例中，所述散热管道的横截面形状包括以下任意一种：椭圆形、圆形或任意多边形；

所述散热管道的管道形状包括以下任意一种：直线型、L型、U型或蛇形。

在一些实施例中，每相邻的两个所述存储块之间具有一个或多个所述散热管道，其中，多个所述散热管道均匀或非均匀地排布于两个所述存储块之间。

第二方面，本申请实施例提供一种散热管道的形成方法，应用于三维存储器，方法包括：

在所述三维存储器的衬底上形成多个沿第一方向依次堆叠的堆栈结构，其中，每一所述堆栈结构包括多个存储块，所述第一方向垂直于所述衬底所在的平面；

在每一所述堆栈结构中，每相邻的两个所述存储块之间形成至少一个刻蚀孔；

在每一所述刻蚀孔中填充散热剂，对应形成位于每一所述堆栈结构中的散热管道。

在一些实施例中，所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面，或，所述刻蚀孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面；

当所述刻蚀孔的延伸方向平行于所述衬底所在的平面时，对应所述刻蚀孔所形成的所述散热管道，位于所述堆栈结构的底部与顶部之间；

当所述刻蚀孔的延伸方向垂直于所述衬底所在的平面时，对应所述刻蚀孔所形成的所述散热管道，在所述第一方向上的高度小于预设高度值。

在一些实施例中，每一所述存储器块包括多个存储器单元，每一所述存储器单元具有一存储柱，所述存储柱具有所述预设高度值。

在一些实施例中，所述方法还包括：

沿所述第一方向，依次堆叠多个所述堆栈结构，形成存储器阵列；