[发明专利]碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202110261633.8 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113178414A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 罗军;许静;袁述;张丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 史晶晶 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法。一种碳化硅欧姆接触结构的形成方法，包括：提供表面具有碳化硅(SiC)层的半导体结构；在所述碳化硅层注入重离子，使表面形成非晶层；然后在所述非晶层的表面沉积金属层；进行退火处理，退火温度为400～1000℃。本发明能促进金属硅化反应的进行，也有利于掺杂杂质在更低温度下激活，从而大幅降低欧姆接触结构的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 欧姆 接触 结构 形成 方法 mos 晶体管 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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